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碳化硅晶体材料生产基地项目将落户莱西经开区

日期:2021-02-19 09:25:28   来源:中国项目工程咨询网   浏览:
  该项目总投资10亿元,主要产品为4~6英寸碳化硅晶体衬底片。项目全部达产后,可实现年产5万片4~6英寸碳化硅导电型与半绝缘型单晶衬底片。该项目建成后,将使我国摆脱大规格、高品质碳化硅晶体衬底片依赖进口的局面,产品实现国产化后,成本可大幅降低。随着该产品在通信、高铁、新能源汽车等方面的广泛应用,将引领碳化硅半导体材料及其下游行业的迅猛发展。

  据介绍,碳化硅片的最大优势是其宽禁带和耐高压能力,相关性能是硅材料的3~10倍,能显著提高器件及产品的性能。而碳化硅的另一项优势是节能,使用碳化硅器件可以让电力变换装置体积更小,节能效果可提高10%~25%。因此,在很多创新应用领域中,未来碳化硅将逐步取代第一代和第二代半导体。采用碳化硅材料制成的电力电子元件可工作于极端环境和恶劣环境下,特别适用于航空航天、石油地质勘探、高速铁路、新能源汽车、太阳能逆变器及工业驱动等需要大功率电源转换的应用领域。
立项报告案例@高建国主任


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